IGBT 스 너버 커패시터, DTS 시리즈, 커패시턴스 0.0047uf ~ 8.5uf, 전압 600-3000vdc

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주요 응용 분야 :
IGBT 스 너버 박막 커패시터는 과도 전압 보호에 필요한 높은 피크 전류 동작을 위해 설계되었다. 이러한 전압은 스위칭 전원 전자 제품에서 발생하는 높은 dI / dT로 인해 발생합니다.

일반 기술 특성 :
유전체 : 폴리 프로필렌 필름
구조 : 확장 된 양면 금속 화 캐리어 필름
내부 직렬 연결 및 금속 화 필름
케이스 : 솔벤트 방지 플라스틱 케이스와 수지 밀봉. 난연성 실행 (UL94V-0). 리드 : 주석 도금 구리선

전기적 특성:
작동 온도 : – 40 ~ + 85 ℃
커패시턴스 : 0.0047 ~ 8.5μF
정격 전압 : 600, 3000 Vdc 공차 : ± 5 %, ± 10 %
소산 계수 : 1000 ± 20 Hz 및 25 ± 5 ℃에서 측정. Cr≤1.0µF, 4 × 10-4 일 때, Cr> 1.0µF 일 때, 6 × 10-4

테스트 방법 및 성능 :
내전압 : 1.5 ± 10 ℃에서 25에 적용되는 5Un (DC)
(유형 테스트를위한 1 분)
절연 저항 : 3000s 30GΩ을 초과 할 필요는 없습니다.
(대표 값), 1Vdc에서의 통전 100 분 (25 ± 5 ℃)

외곽선 그리기 :

IGBT 스 너버 커패시터, DTS 시리즈, 커패시턴스 0.0047uf ~ 8.5uf, 전압 600-3000vdc

표준 부품 번호 :

IGBT 스 너버 커패시터, DTS 시리즈, 커패시턴스 0.0047uf ~ 8.5uf, 전압 600-3000vdc

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