IGBT缓冲电容器，DTS系列，电容0.0047uf至8.5uf，电压600-3000vdc
IGBT缓冲电容器，DTS系列，电容0.0047uf至8.5uf，电压600-3000vdc
主要应用：
IGBT缓冲器薄膜电容器设计用于防止瞬态电压所需的高峰值电流操作。 这种电压是由开关电力电子应用中产生的高dI / dT引起的。
一般技术特性：
电介质：聚丙烯薄膜
结构：扩展的双面金属化载体膜
内部串联连接和金属化膜
案例：树脂密封的耐溶剂塑料外壳。 阻燃执行（UL94V-0）。 引线：镀锡铜线
电气特性：
工作温度：– 40至+ 85℃
电容：0.0047到8.5μF
额定电压：600，3000 Vdc容差：±5％，±10％
耗散因数：在1000±20 Hz和25±5℃下测得。 当Cr≤1.0µF时，4×10-4；当Cr> 1.0µF时，6×10-4
测试方法和性能：
介电强度：1.5Un（直流）用于10在25±5℃
（型号测试1分钟）
绝缘电阻：3000但不必超过30GΩ
（典型值），在1Vdc上通电100分钟后（25±5℃）
轮廓图：
标准型号：
