IGBT緩衝電容器，DTS系列，電容0.0047uf至8.5uf，電壓600-3000vdc
IGBT緩衝電容器，DTS系列，電容0.0047uf至8.5uf，電壓600-3000vdc
主要應用：
IGBT緩衝器薄膜電容器設計用於防止瞬態電壓所需的高峰值電流操作。 這種電壓是由開關電力電子應用中產生的高dI / dT引起的。
一般技術特性：
電介質：聚丙烯薄膜
結構：擴展的雙面金屬化載體膜
內部串聯連接和金屬化膜
案例：樹脂密封的耐溶劑塑料外殼。 阻燃執行（UL94V-0）。 引線：鍍錫銅線
電氣特性：
工作溫度：– 40至+ 85℃
電容：0.0047到8.5μF
額定電壓：600，3000 Vdc容差：±5％，±10％
耗散因數：在1000±20 Hz和25±5℃下測得。 當Cr≤1.0µF時，4×10-4；當Cr> 1.0µF時，6×10-4
測試方法和性能：
介電強度：1.5Un（直流）用於10在25±5℃
（型號測試1分鐘）
絕緣電阻：3000但不必超過30GΩ
（典型值），在1Vdc上通電100分鐘後（25±5℃）
輪廓圖：
標準部件號：
