ጦማር

ጥር 6, 2017

UWB Receivers የሚሆን የብሮድባንድ LNA ተቀጽላ Superposition ስልት የተቀየረበት በመጠቀም ላይ

በሪቻርድ ኃይል Capacitors
የበይነመረብ ማህደር መጽሐፍ ምስሎች በ

UWB Receivers የሚሆን የብሮድባንድ LNA ተቀጽላ Superposition ስልት የተቀየረበት በመጠቀም ላይ

መግቢያ
የከፍተኛ ፍጥነት ገመድ አልባ የግንኙነት ስርዓቶች ልማት በዝቅተኛ የኃይል ፍጆታ እና በአቅርቦት operatingልቴጅ የሚሰራ ባለ ብዙ ጋዝ ባንድ ሞገድ ባላቸው የተቀናጀ ርካሽ RF መሣሪያዎች ላይ እየጨመረ ጥያቄን ይጠይቃል ፡፡ Ultra-wideband (IEEE 802.15.3a) በአነስተኛ ርቀቶች (1 ሜ / ሴ) በአነስተኛ ርቀቶች (እስከ 10 Gb / s) ድረስ ለከፍተኛ የውሂብ ማስተላለፍ ተመኖች (አቅም) እስከሚችል አዲስ ቴክኖሎጂ ሆኖ ብቅ ይላል። ይህ ቴክኖሎጂ ለአንዳንድ አፕሊኬሽኖች እንደ ገመድ አልባ የግል አካባቢ አውታረመረቦች (WPANs) ላሉ የድምፅ ፣ የቪዲዮ እና የሌሎች ከፍተኛ bandwidth ውሂብ ለማስተላለፍ አከባቢን ይሰጣል ፡፡ ለ UWB ስርዓቶች የተመደበው የ “የ 3.1-10.6-GHz” ን የንድፍ ትርኢት እንዲጠቀም ከታቀደው አቀራረብ ውስጥ አንዱ የ ‹14-MHz› ባንድ ስፋት እና ፈጣን ድግግሞሽ መርሃግብር መርሃግብርን በመጠቀም ከ ‹528-MHz› ባንድ ስፋት እና ፈጣን ድግግሞሽ-መርገጫ ዘዴ ጋር [ 1]። በኤን.ዲ.ኤም.ኤ ውስጥ ንዑስ-ተሸካሚ ረ ፍላጎቶች አንዳቸው ለሌላው የተጋለጡ ናቸው ፡፡ ይህ ዘዴ በንዑስ-ሰርጦች መካከል ያለውን መስቀለኛ ንግግርን ያስወግዳል እናም በዚህ መሠረት በአገልግሎት ሰጭ-ተከላካዮች ማሰሪያ ማሰሪያ አስፈላጊዎች አይደሉም ፡፡ ምንም እንኳን መስፈርቱ የተሟላ ባይሆንም ፣ የፊት-ለፊት-ሰፊውዝ የብሮድባንድ ኤል.ኤን.ኤ ተቀባዩ ሥነ-ሕንፃ ምንም ይሁን ምን ፣ በጣም አስፈላጊ ነው ፡፡ ማጉያው ብዙ ቅድመ ሁኔታዎችን ማሟላት አለበት ፣ ለምሳሌ ከምኞት ማጣሪያ እና አንቴና ጋር በይነገጽ ለመገጣጠም ፣ የማጉላት ግቤት መቻቻል ከሚፈለገው የ UWB ባንድ በላይ ወደ 50 ቅርብ መሆን አለበት ፡፡ ሆኖም የተቀባዩን / ድምቀትን ለማሻሻል ፣ አነስተኛ የባትሪ ኃይልን ለመጨመር አነስተኛ የኃይል ፍጆታ ፣ ዋጋውን ለመቀነስ አነስተኛ የሞገድ መጠን ፣ ያልተሟላ መረጋጋት እና ጥሩ መስመራዊነት በጣም አስፈላጊ የሆኑ መለኪያዎች ናቸው ፡፡ በመካከላቸው የቅርብ የንግድ ልውውጥ አለ ፡፡ በአጠቃላይ ከነሱ ውስጥ አንዱን በማሻሻል ሌሎቹ ተበላሽተዋል።

II. የግቤት ደረጃ።
የጋራ-በር እና ካርትኮድ ውቅሮች በ CMOS ወረዳዎች ውስጥ የኤል.ኤን.ኤን ግብዓት ደረጃ ለመንደፍ ብዙውን ጊዜ የሚጠቀሙባቸው ሁለት ዓይነቶች ናቸው ፣ ‹‹ ‹R››››››››› እንዲሁም እንዲሁም እንደ “ባንድ-ባንድ” ባንድ ባንድ ባንድ ባንድ ባንድ ባንድ ባንድ እና ጠባብ ባንድ ግብዓት ይዛመዳሉ ፡፡ ሆኖም የተለመደው የበር ደረጃ ከመ Cascode ደረጃ እና ከድምጽ መሰረዝ ቴክኒኮች ጋር ጥቅም ላይ መዋል ያለበት ከፍተኛ የድምፅ ማጉያ ደረጃ አለው።
ሆኖም የግብዓት እክል በአድሎአዊነት እና በወ / ሊ ጥምርታ ተዘጋጅቷል ፡፡ በእርግጥ ይህ አወቃቀር ለትራንዚስተር transconductance እና እንዲሁም ተገቢውን ጭነት በመምረጥ (የመለዋወጫ አቅም እና የአካል ተፅእኖን ከግምት ውስጥ በማስገባት ጥሩ የኢንደክተሮች እና የመለኪያ ውህዶች) ፣ ነፃ የብሮድባንድ ግብዓት ማዛመድን ይሰጣል ፡፡ ይህ ጭነት ከ r_ds1 ጋር ተመጣጣኝ መሆን አለበት። ጂኤም ስለሚቀየር የግብዓት ማነቆው እና የተዛመደው ባንድዊድዝ ከመሣሪያው f_T ጋር በግምት እኩል ናቸው።
የጥገኛ ትራንዚስተር አቅም አቅም C_gs የአስገቢው ድግግሞሽ መነሳት ሲጀምር ሚናዎችን መጫወት ይጀምራል። በጠባቡ ባንድ ትግበራ ውስጥ በሚፈለገው ድግግሞሽ ላይ ከ C_gsto ጋር ተመጣጣኝነት ማመጣጠን ለማሳደግ አንድ shunt inductor በግቤት ደረጃ ውስጥ ታክሏል። ሆኖም በአብዛኛዎቹ የ CMOS ጠባብ ባንድ ትግበራዎች ውስጥ የካካዶ ኤል ኤን ኤ ከእቃ መበላሸቱ ጋር ተመራጭ ነው ግን ከግብዓት ወደ መውጫ እና መውጣትን ለመለየት ‹‹ ‹››››››› ‹‹C›››››‹

III. የካርኔጅ ዲዛይን እና ትንታኔ ፡፡
የታቀደው ሰፊ-ባንድ ኤን ኤ በ ምስል 1 ውስጥ ይታያል ፡፡ እሱ የግቤት ደረጃ እና አንድ የጋራ ምንጭ ደረጃን ያካትታል። ሠንጠረዥ 1 የታቀደው የ CMOS LNA ንድፍ እሴቶችን ያሳያል ፡፡ ጠፍቷል-ቺፕ አድልዎ-ቲ የ M_3 እና የ DC የአሁኑን M_1 መንገድ አድናቆት ያቀርባል። የተከታታይ ኢንደክተሩ L_4 ተጨማሪ ከ M_3 የግብዓት በር-አቅም ምንጭ አቅም ጋር ተገናኝቷል ፣ ይህም ሰፋ ያለ የመተላለፊያ ይዘት እና አንዳንድ የተዘበራረቀ ምላሽ [17] ውጤት ያስገኛል። የጥገኛ ኃይሎች M_2።

ምስል 1. የታቀደ የብሮድባንድ ጫጫታ-ስረዛ LNA ፡፡

አባባ 1
የተነገረለት የ CMOS LNA ምልክቶች።
L_in 4nH (W / L) 3 135 / 0.18
L_0 0.5nH (W / L) 4 37.5 / 0.18
L_1 4.5nH (W / L) 5 45 / 0.18
L_2 2.5nH C_in, C_ (out,) C_3 2PF
L_3 0.9nH C_1, C_2 1PF
L_4 2.2nH R_1 290Ω
L_5 0.8nH R_2 135Ω
(ወ / ኤል) 1 18 / 0.18 R_3 40Ω
(ወ / ኤል) 2 30 / 0.18
እና M_3 ከ INductor L_0 ጋር የ LC መሰላል መዋቅር ይፈጥራሉ። የዲሲ ጭነት ጭነት ተቃዋሚዎች R_1 እና R_2 በቅደም ተከተል የወረዳን መተላለፊያ ይዘት ውጤታማ በሆነ መንገድ (ኤክስኤንኤልX) ለማራዘም በተቀነባበሩ አጭበርባሪዎችን L_1 እና L_2 ን ተቀላቅለዋል ፡፡ የተከታታይ ደረጃ አሰጣጥ ኢንduክተር L_10 እንዲሁ በ M_2 እና M_2 ፍሰት ላይ ካለው አጠቃላይ የጥገኛ አቅም C_d3 እና C_d2 ጋር ተመሳሳይነት አለው። የጭነት ተከላካይ R_3 እንደመሆኑ ለ ጠፍጣፋ ትርፍ የ L_3 Q ጥያቄን ለመቀነስ ተጨምሯል። የጥገኛ አቅምን ለመቀነስ እና የድግግሞሽ አፈፃፀምን ለማሻሻል የታቀደው አነስተኛ ርዝመት ያለው የ 3μm ርዝመት ያለው ትራንዚስተን በሙሉ ግምት ውስጥ ይገባል። የተለመደው ምንጭ የመተላለፊያ ይዘትን ያሰፋል ፣ የተሻሉ ማግለልን እና ድግግሞሹን ይጨምራል። በእርግጥ የግቤት ደረጃ እና የተለመደው ምንጭ ደረጃ ዝቅተኛ-ድግግሞሽ የኃይል ማግኛ እና ከፍተኛ-ድግግሞሽ የኃይል ማግኛን በቅደም ተከተል ይደግፋሉ። የሁለቱም የድግግሞሽ ምላሾች ጥምረት ወደ ብሮድባንድ የኃይል ማግኛ ያስገኛል። ትራንዚስተር M0.18 እንዲሁ የተለመደው የመነሻ ደረጃ እንዲጨምር እና ለስላሳ ድግግሞሽ እንዲያገኙ ይረዳል ፡፡ ምስል 5 በ S2 ግቤት ላይ የ M5 ውጤት ያሳያል ፡፡

ምስል 2 በ S5 ልኬት ላይ የ M21 ውጤት ፡፡

በምስል 3 ውስጥ የ M1 ውጤቶች እንደ ግብዓት ደረጃ እየተመረመሩ ናቸው ፡፡ የተመሳሰለ NF እና S11 ልኬት ከ M1 ጉዳይ ጋር ሲነፃፀር ጠፍቷል። በ NF እና S11 መካከል የቅርብ የንግድ መለያየት አለ ፡፡ M_1 ሲበራ ፣ ኤን ኤን ኤ ይጨምር እና የ S21 ልኬት በተመሳሳዩ የኃይል ማሰራጨት እና ተመሳሳይ የመተላለፊያ ይዘት ይቀነሳል ፣ ግን በተቃራኒው ተቀባይነት ያለው የግብዓት ማዛመድን ያገኛል። ተጨማሪ ትኩረትን በግቤት ደረጃው ውስጥ ለመደበኛ-በር አወቃቀር የድምፅ ጫጫታ ባህሪዎች መሰጠት አለበት ፣ ምንም እንኳን ትራንዚስተር M_1 ባለብዙ-ባንድ ማዛመድን ቢሰጥም ፣ በመጠኑም ቢሆን ከፍተኛ የከፍተኛ ድምጽ ድምፅ አለው።

ምስል 3. ከ M1 ጋር የተነቃቃ የጩኸት ምስል እና የግቤት ማግለል አብራ እና አጥፋ።

የጩኸት አፈፃፀም ለመፈተሽ ከ MMS ትራንዚስተር ድምፅ ጫጫታ ከሰርጡ ሙቀት ጫጫታ ጋር ጥቅም ላይ ይውላል ፡፡ በ Fig.4 ላይ እንደተመለከተው ፣ የበርን እና የመብረር ድምisesችን ችላ በማለት በዚህ ትንታኔ ውስጥ ፍጹም ግጥሚያን በመገመት ፣ የ PSD የጣቢያ ሙቀት ጫጫታ (i_ (n ፣ d) ^ 2) as
(i_ (n ፣ መ) ^ 2) ̅ = 4KTγg_do ∆f = 4KT γ / α g_m ∆f (1)
የቦልትስማን ቋት የት ነው ፣ በኬልቪን ውስጥ ፍጹም የሙቀት መጠን ነው ፣ the የ MOS ትራንዚስተር የሰርጥ የሙቀት ጫጫታ መጠን ነው ፣ of እንደ “transconductance g_mand” ዜሮ-አድልዎ የፍሳሽ ማስወገጃ ማስተላለፊያ g_ds ጥምርታ ነው እና የጩኸቱ አኃዝ ባንድዊድዝ ነው በቅደም ተከተል ይለካል ፡፡
የሚከተሉት ስሌቶች ለጠቅላላው የድምፅ አኃዝ [1] አስተዋፅ that የሚያደርጉትን የ R_1 ፣ M_2 ፣ M_3 እና M_1 ጩኸት ቁጥር ያብራራሉ

ምስል 4. የጩኸት መሠረታዊ ንድፍ

ሁኔታው (2) ከተቋቋመ የ M_1 ጫጫታ ከ [1] ተወግ isል።

g_m2 R_1 = g_m3 R_s (2)

የሚከተሉት ስሌቶች ለጠቅላላው የድምፅ አኃዝ አስተዋፅ contribute የሚያደርጉትን የድምፅ መጠን በ R_1 ፣ M_2 እና M_3 ያብራራሉ።

F_R1 = (4KT 〖R_1 g_m2〗 ^ 2) / (KTR_s (g_m3 + 〖g_m2 R〗 _1 / R_s) ^ 2) = R_s / R_1 (3)

F_M2 = (4KTγ / αg_m2) / (KTR_s 〖(g_m3 + g_1m1 (Z_ (L_R1) ‖r_o1) g_m2)〗 ^ 2) = γ / α xNUMX / xXX

F_M3 = (4KTγ / α g_m3) / (KTR_s 〖(g_m3 + g_m1 (Z_ (L_R1) ‖r_o1) g_m2)〗 ^ 2)) = (4γ / α x / xX x 〗 ^ 3) (1)

ስለዚህ አጠቃላይ የድምፅ ጫጫታ እንደ (6) ሊጠቅም ይችላል

F_total = R_s / R_1 (1 + γ / α 1 / (g_m2 R_1)) + (4 γ / α) / (〖g_m3 R〗 _s 〖(1 + R_s g_m1)〗 ^ 2) (6)

IV.SIMULATION ውጤት ፡፡
ወረዳው በ 0.18μm TSMC ቤተ መጻሕፍት ሂፕስ ሶፍትዌሮች ተመስሏል ፡፡ ሁሉም ማስመሰያዎች የሚከናወኑት የ 50Ω ግብዓት እና የውጤት ተርሚናሎችን ከግምት በማስገባት ነው ፡፡ በ Fig.5 (ሀ) የኤል.ኤን.ኤን የኃይል እና የገለልተኛነት ገለልተኛ ምሳሌዎች ተመስለዋል ፡፡ አማካይ ትርፍ ኃይል በግምት በ 14.5 dB ከ ‹0.7 dB› ድግግሞሽ መጠን ጋር ተመሳሳይ ነው ፡፡ የተገላቢጦሽ ማግለል ከ -35dB ያንሳል። Fig.5 (ለ) የድምፅ ብዛትን ፣ የግብዓት እና የውጤት መነጠል ያሳያል ፡፡ ኤን.ኤ.ሲ ከ 2.9 ዲቢባ ያነሰ ነው ፣ S11 ያንሳል -14.8db እና S22 በግምት ከ -10dB ያንሳል።

8KV 25mA 150ns High Voltage Diode ይግዙ
8KV 175mA High Voltage Diode ይግዙ
8KV 100mA 50ns High Voltage Diode ይግዙ

(ለ)
ምስል 5 (ሀ) አነቃቂ የኃይል ማግኛ እና የገለልተኛ ማግለል (ለ) የተነቃቃ የሴቶች ድምጽ ፣ የግብአት ማግኛ እና የውጤት መነጠል

“ምስል 6” የወረዳውን እና ድግግሞሹን IIP3 ያሳያል።

ምስል 7. የሚለካ IIP3 እና ድግግሞሽ።

የዚህ ሥራ ውጤቶች በ “TABLE II” ውስጥ የሚታዩ ሲሆን በቅርቡ ከታተሙት የ CMOS LNAs ጋር ይነፃፀራሉ ፡፡

አጭር የ ‹2› ማጠቃለያ ፡፡
VI. ማጠቃለያ
ይህ ወረቀት በመደበኛ RFCMOS ቴክኖሎጂ ላይ የተመሠረተ የ UWB LNA አወቃቀር አዲስ ዲዛይን ያቀርባል። በጋራ-በር ደረጃ እና በእርሱ መካከል ባለው የግብዓት እጦት መካከል ያለውን የንግድ ልዩነት ከተመለከቱ በኋላ እርካሽ የሆነ የግቤት ግጥሚያ እና ጫጫታ አፈፃፀም ተገኝተዋል ፡፡ ጫጫታ አፈፃፀም ፡፡ የሚለካው የጩኸት ድምጽ ከ 2.9-3.1-GHz ከ 10.6 dB ያንሳል። አንድ ጠፍጣፋ ትርፍ በሁሉም የ LNA ንድፍ መጥቀስ ተገቢ ነው ፣ እና በማስመሰል የቀረበው የኃይል ማግኛ 14.5 ± 0.7 dB ነው።

ማጣቀሻዎች
[1] ቺህ-ፋን ሊአዎ እና henን-አይዋን ሊው ፣ “የብሮድባንድ ጫጫታ-መሰረዝ CMOS LNA ለ 3.1-10.6-GHz UWB ተቀባዮች” IEEE of SolID-STATE CIRCUITS, VOL. 42 ፣ አይ 2, የካቲት 2007
[2] Kuang-Chi He ፣ Ming-Tsung Li ፣ Chen-Ming Li እና Jenn-Hwan Tarng ፣ ትይዩል-አርሲ ግብረመልስ ዝቅተኛ ድምጽ ማጉያ ለ UWB ትግበራዎች IEEE TRANSACTIONS IN CIRRUITS AND SYSTEMS – II: EXPRESS BRIEFS, VOL. 57 ፣ አይ 8, ነሐሴ 2010
[3] ዜ-ያንግ ሁዋንግ ፣ ቼ-ቼንግ ሁዋንግ ፣ ቹ-ቺህ ቼን ፣ ቹንግ-ቺህ ሁንግ እና ቺያ ሚን ቼን ”አንድ Inductor- ማጣመር
ለ 3.1-10.6GHz እጅግ በጣም ሰፊ የስርዓት ስርዓት የተስተካከለ የ CMOS ዝቅተኛ የድምፅ ማጉያ ”© 2009 IEEE
[4] ያንግ ሉ ፣ ኪያት ሰንግ ኢዩ ፣ አልፐር ካቡክ ፣ ጂያንጉዎ ማ ፣ ማንህ አን እና ዶ እና ዜንግሃው ሉ ”ከ‹ 3.1 እስከ 10.6-GHz እጅግ በጣም ሰፊ-ባንድ ገመድ አልባ ተቀባዮች ›አንድ ኖቬል ሲኤምኤስ ዝቅተኛ ድምፅ ማጉያ ንድፍ” IEEE TRANSACTIONS ON ክርክሮች እና ሥርዓቶች – እኔ-መደበኛ ጽሑፎች ፣ ቮ. 53 ፣ አይ 8, ነሐሴ 2006
[5] አሊ ሚርቫኪሊ ፣ ሙሐመድ ያቫሪ ፣ ፋርሺድ ራይሲ ”ለ 1-10.6 ጊሄዝ UWB ተቀባዮች ቀጥታዊ የአሁኑን እንደገና ጥቅም ላይ የዋለ LNA” IEICE ኤሌክትሮኒክስ ኤክስፕረስ ፣ ጥራዝ 5 ፣ ቁ.
[6] S. Stroh ፣ “Ultra-wideband: መልቲሚዲያ አልተሰካም” ፣ IEEE Spectrum ፣ vol. 40 ፣ አይደለም ፡፡ 9 ፣ ገጽ 23-27 ፣ መስከረም 2003።
[7] ቭላድሚር አፓሪን እና ሎረንስ ኢ ላርሰን ፣ ባልደረባ ፣ አይኤኢኢ ”FET ዝቅተኛ ጫጫታ አምላፋዎችን ለመዘርዘር የተቀየረ የመነሻ ሱፐርዚሽን ዘዴ” በማይክዌቭ ቲዎሪ እና ቴክኖሎጅ እና ቴክኖሎጅ ላይ የተካሄዱ የአይ.ኢ. 53 ፣ አይ 2, የካቲት 2005
[8] A. Batra et al. ፣ “Multi-band OFOFDM አካላዊ ንብርብር ፕሮፖዛል ፣” IEEE 802.15-03 / 267r5 ፣ Jul 2003
[9] ሺህ-ቺህ ቼን ፣ ሩይ-ሉ ዋንግ ፣ ህስላንንግ-ቼን ኩዎ እና ሚንግ-ላንግ ኩንግ ቻንግ-ሲንግ ጋኦ ”የሙሉ ባንድ ዲዛይን (3.1-10.6GHZ) የ CMOS UWB ዝቅተኛ የድምፅ ማጉያ ከሙቀት ድምፅ መሰረዝ ጋር” ሂደቶች የእስያ-ፓስፊክ ማይክሮዌቭ ኮንፈረንስ 2006 ፡፡
[10] ኤስ.ኤስ.ኤ ሞሃን ፣ ኤምዲኤም ሄርሸንሰን ፣ ኤስ ቦይድ እና ቲ ሊ ““ በሲኤምኤስ ውስጥ ባንድዊድዝ ቅጥያ በተመቻቹ የቺፕ ኢንደክተሮች ”፣ IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 35 ፣ አይደለም ፡፡ 3 ፣ ገጽ 346-355 ፣ መጋቢት 2000።
[11] he-ያንግ ሁዋንግ ፣ ቼ-ቼንግ ሁዋንግ ፣ ቹ-ቺህ ቼን ፣ ቹንግ-ቺህ ሀንግ እና ቺያ ሚን ቼን
[12] ቹንዩ ሺን ፣ ኤድጋር ሳንቼዝ-ሲኔንቺዮ “ለ RF አርበኞች አመላካች የሥርዓት መመሪያ”
[13] ጂያንዩን ሁ ፣ ዩንያንያን ዙ እና ሁይ ው ”እጅግ በጣም ሰፊ የሆነ የባርኔጣ መቋቋም እና ግብረመልስ ዝቅተኛ ድምጽ ማጉያ ከጩኸት መሰረዝ ጋር
በ 0.18μm ዲጂታል ሲኤሞኤስ ”978-1-4244-1856-5 / 08 / $ 25.00 © 2008 IEEE
[14] ጄ-ኤች. ሊ ፣ ሲ - ሲ. ቼን እና Y.-S. ሊን “0.18 lm 3.1-10.6 GHz CMOS UWB LNA with 11.4_0.4 dB gain and 100.7_17.4 ps groupdelay” የኤሌክትሪክ ደብዳቤዎች ህዳር 22 ቀን 2007 ጥራዝ. 43 ቁጥር 24
[15] ሲ-ፒ. ሊያንግ ፣ ሲ-ወ. ሁዋንግ ፣ ያ.ኬ. ሊን እና ኤስ.ጄ. ቹንግ ”3-10 ጊኸ እጅግ በጣም ሰፊ ባንድ ዝቅተኛ ጫጫታ ማጉያ በአዲስ የማዛመጃ ዘዴ” የኤሌክትሮኒክስ ደብዳቤዎች ነሐሴ 5 ቀን 2010 ቅ. 46 ቁጥር 16
[16] ሆንሩሩ ዋንግ ፣ ሊ ዣንግ እና ዚፒንግ ዩ ፣ ባልደረባ ፣ “ሰፋ ያለ ኢንደክተር አልባ ኤን ኤ በአካባቢያዊ ግብረመልስ እና ዝቅተኛ ኃይል ላላቸው አነስተኛ የቮልት ትግበራዎች ድምፅን በመሰረዝ ጫጫታ” IEEE ስርጭቶች እና ሥርዓቶች ላይ - እኔ መደበኛ የህገ-ወጦች ፣ ቮልት ፡፡ 57 ፣ አይ 8, ነሐሴ 2010
[17] TH ሊ, የ CMOS ሬዲዮ-ድግግሞሽ የተቀናጁ ሰርኪዮች ንድፍ ፣ 1st ed. ኒው ዮርክ: ካምብሪጅ ኡኒቭ። ፕሬስ ፣ 1998።
[18] ቹዩ ዢን ፣ ኤድጋር ሳንቼዝ-ሲኔንቺዮ ”ለሪአርኤል ታዋቂ የአመልካች ዝርዝር መመሪያ ቴክኖሎጅ” ኢስካስ 2004
[19] አሊ ሚርቫኪሊ ፣ ሙሐመድ ያቫሪ ”የ‹ UWB DS-CDMA Receceers ›የላይኛው ባንድ ድምፅ-መሰረዝ የ CMOS ኤል ኤን ኤ ዲዛይን” ወረዳዎች እና ሲስተምስ ፣ 2009. ISCAS 2009.
[20] ኤስ ጋላል እና ቢ ራዛቪ ፣ “40 ጊባ / ሰ ማጉያ እና ኢኤስዲ መከላከያ ወረዳ በ 0.18 _mCMOS ቴክኖሎጂ” ውስጥ በ IEEE ISSCC Dig. ቴክ. ወረቀቶች, የካቲት 2004, ገጽ 480-481.

በሪቻርድ ኃይል Capacitors , , , , , ,