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トランジスタ–弱い電気信号を増幅するための完璧なソリューション
トランジスタは、小さな入力信号の小さな変化によって大きな電気出力信号の変化を引き起こす可能性のある小さな電子デバイスです。 つまり、弱い入力信号はトランジスタによって増幅される可能性があります。 トランジスタは、シリコンまたはゲルマニウム半導体材料のXNUMXつの層で構成されています。 不純物が各層に追加され、特定の電気的な正または負の帯電動作が作成されます。 「P」は正に帯電した層を表し、「N」は負に帯電した層を表します。 トランジスタは、層の構成においてNPNまたはPNPのいずれかです。 トランジスタを動作させるために印加する必要のある電圧の極性を除いて、特に違いはありません。 弱い入力信号は、ベースと呼ばれる中央の層に適用され、通常はエミッタと呼ばれる最下層にも接続されているグランドを基準としています。 大きい方の出力信号は、グランドとエミッタを基準にしてコレクタから取得されます。 トランジスタアンプを完成させるには、少なくともXNUMXつのDC電源とともに追加の抵抗とコンデンサが必要です。
トランジスタは、現代の電子デバイス及び先行ラジオ、電卓、コンピュータ、およびその他の現代の電子システムのためのビルディングブロックです。 本発明者らは、実際には、トランジスタを発明するために1956でノーベル賞を受賞しました。 20th世紀の最も重要な発明の一つであることを主張することができます。 2009では、ベル研究所によって発明された第一のトランジスタは、IEEEマイルストーンと命名しました。 （ディスクリートトランジスタとして知られている）、毎年生産され億を超える個々のトランジスタがあります。 しかし、大多数の電子回路を含む、ダイオード、抵抗器、コンデンサ、および他の電子部品と共に集積回路で生成されます。 トランジスタは、マイクロプロセッサで億を20する論理ゲートの任意の場所に3からの量で使用することができます。 そのため、トランジスタに関連する低コスト、柔軟性、および信頼性のために、それは非常に広く生産となっています。 大局的に物事を置くために、バック60で地球上のすべての人のために建て2002万個のトランジスタがありました。 今以上の10年後、その数は増え続けています。
トランジスタの2つのタイプは、それらが、回路で利用される方法の点でわずかな変動を有するバイポーラトランジスタと電界効果トランジスタです。 トランジスタは、通常、高電力および低電力の両方の用途のための電子スイッチとして使用されます。 電圧の小さな変化は、トランジスタのベースを介して小さな電流が変化することで増幅器としてそれらを使用することもできます。 他の製品に比べ、トランジスタのいくつかの重要な利点は、小型、最小限の重量、カソードヒーターにより無消費電力、電源投入後に必要とカソードヒーターのためのウォームアップ期間、より高い信頼性、より大きな物理的な耐久性、非常に長い寿命、鈍感にしていますとりわけ機械的衝撃や振動、。
トランジスタのトップメーカーはマキシム・インテグレーテッドマイクロセミパワー・プロダクツ・グループ、NXPセミコンダクターズ、オン・セミコンダクター、パナソニック電子部品、ローム半導体、サンケン、三洋半導体株式会社、STマイクロエレクトロニクス、東芝です。
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