12KV 6000PF 150KVA RF電力電容器| 激光| 半導體晶圓的Fab | 等離子體
12KV 6000PF 150KVA射頻功率電容器| 激光| 半導體
Wafer-Fab | 等離子體
材料
從1類陶瓷介質製成以高尚的電容器元件
金屬電極。
靈活的連接端子銅/黃銅，鍍銀，允許系列
和並行互連。
FINISH
貴金屬電極和終端防護漆的。
仿形絕緣邊是另外釉面。
特色
•低損失
• 高可靠性
•高壓額定值
應用領域
這些高科技技術是專為使用在高頻感應
加熱和焊接
設備是高電壓等級是必需的。
電容範圍
50 pF到6000 pF的
電容容差
±10％，±20％
陶瓷介質
N750：（– 750 ppm /℃）
額定電壓
3.3到30 kVp的（= RF峰值電壓+ DC電壓）
介電強度試驗
UR <= 15KV：UR的200％
UR> 15KV：UR的150％
損耗因數
最大。 0.006％
絕緣電阻
閔。 10000MΩ（25°C）
工作溫度範圍：
– 40°C至+ 85°C
HVC產生高電壓的RF功率電容。
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