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晶體管–放大弱電信號的完美解決方案
晶體管是一種小型電子器件，可以通過小輸入信號的微小變化引起大電輸出信號的變化。 即，可以通過晶體管放大微弱的輸入信號。 晶體管由三層矽或鍺半導體材料組成。 每層都添加雜質以產生特定的正電或負電行為。 “P”代錶帶正電層，“N”代錶帶負電層。 晶體管的層結構可以是 NPN 或 PNP。 除了使晶體管工作所需施加的電壓的極性不同之外，沒有特別的區別。 弱輸入信號施加到稱為基極的中心層，通常以地為參考，接地也連接到稱為發射極的底層。 較大的輸出信號取自集電極，也參考地和發射極。 需要額外的電阻器和電容器以及至少一個直流電源來完成晶體管放大器。
晶體管是現代電子設備的構建模塊，早於收音機、計算器、計算機和其他現代電子系統。 發明家實際上因發明晶體管而於1956年獲得了諾貝爾獎。 可以說它是20世紀最重要的發明之一。 2009年，貝爾實驗室發明的第一個晶體管被評為IEEE里程碑。 每年生產超過十億個單獨的晶體管（稱為分立晶體管）。 然而，大部分是在集成電路中生產的，與二極管、電阻器、電容器和其他電子元件一起組成電子電路。 晶體管的使用數量從邏輯門中的 20 個到微處理器中的 3 億個不等。 由於與晶體管相關的低成本、靈活性和可靠性，它已得到極其廣泛的生產。 從長遠來看，早在 60 年，地球上的每個人就建造了 2002 萬個晶體管。十多年過去了，這個數字還在繼續增長。
這兩種類型的晶體管是雙極晶體管和場效應晶體管，它們在電路中的使用方式略有不同。 晶體管通常用作高功率和低功率應用的電子開關。 它們還可以用作放大器，因為電壓的微小變化會改變通過晶體管基極的小電流。 與其他產品相比，晶體管的一些關鍵優勢包括尺寸小、重量輕、陰極加熱器無功耗、通電後需要陰極加熱器的預熱時間、更高的可靠性、更強的物理堅固性、極長的壽命以及對機械衝擊和振動不敏感等。
晶體管的頂級製造商包括 Maxim Integrated、Micro semi Power Products Group、NXP Semiconductors、ON Semiconductor、Panasonic Electronic Components、Rohm Semiconductor、Sanken、SANYO Semiconductor Corporation、STMicroElectronics 和 Toshiba。
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